0515-83835888
Lar / Notícias / Notícias da indústria / Equipamento de Revestimento de Pulveriza ã de Plasma Alto A Vácuo: Equipamento de Núcleo Que Permite Um Metalizoça do Substrato de Cerâmica de DPC

Equipamento de Revestimento de Pulveriza ã de Plasma Alto A Vácuo: Equipamento de Núcleo Que Permite Um Metalizoça do Substrato de Cerâmica de DPC

O equipamento de revestimento de substrato cerâmico semicondutor adota o princípio do plasma de campo elétrico de alto vácuo, injeta uma pequena quantidade de gás argônio em uma cavidade fechada e o ioniza em um fluxo de íons de argônio sob a ação de alta tensão. Esses Íons de Argônio de Alta Energia Serão Acelerados e bombardarão o Material Alvo Em uma Direção, de Modo Que os Átomos na Superfície Do Material Alvo SeJam "Sputterados" e Depositados e UniformEMaMaMaMaMaMom Substrato Cobre com Estrutura Densa E Forte Adesão.
Equipamento de Revestimento de Substrato Cerâmico Semicondutor é um pré-ligaça chave na tecnologia de processamento de substrato de cerâmica dpc, Estabelecendo uma base sólida para fabricaça subsequente de circuitos, transferênica gráfica e integraconal. Através de deposição de camada metálica de alta precisão, o substrato cerâmico não apenas atinge excelente condutividade, mas também possui mais forte estabilidade térmica e resistência mecânica, atendendo totalmente aos requisitos rigorosos de aplicações de ponta, como Comunicações 5G, Eletrônica Automotiva e Módulos de Potência para Desempenho de Substrato.
DURANTE O PROCESSO DE DEPOSIÇÃO DA CAMADA METÁLICA, Quaisquer Impurezas Afetarão Seriamente A estabilidade Estrutural, como as pessoas elétricas e A Adesão da Camada depositada. Ontanto, Este Equipamento Está Equipado Com Sistema de Câmara de Embalagem de Alto Vácu, e O Grau de Vácu Pode atingir O nível de 10 ⁻⁵ Pa. Through the linkage of high-efficiency molecular pump and mechanical pump for exhaust, multi-layer sealing structure, gas leakage is prevented, the inner wall of the chamber is polished, and adsorption residues are reduced, so as to ensure the purity of the deposition environment and no oxidation reaction from the source, thereby greatly improving the density and uniformity of the metal layer, which is especially suitable for semiconductors and ceramic substrates for Dispositivos de Alta Potênia com Requisitos Extremamenthe Altos para Pureza e Consistincia.
Este Equipamento ADOTA UM SISTEMA DE ORIGEM DE ISONS PLASMÁTICOS CONTROLUTO POR RECISOO, PODO AJUSTAR AUSTICATEMENTE DE ACORDO COMERENTES MATIAIS-ALVO, SESSURA DO ALVO, FORMA E POSIOO DA SUBRATRAR. ESSA ESTRUTURA DE FONTE DE ISONS ALTAMENTO CONTROLÁVEL OBTER UMA DISTRIBUIÇÃO MAIS DIFERNEIRA DE SPUTTERAÇÃO DE ÁTOMOS DE METAL, GARANTIRIDA Uma uniformididada da Especsessura e o Erro de Consistincia Da Superfíaca Da Camada de Cambosta METÁLICA NAdo ± 3%, o que é um especialista em um produto para um produto estável de submetidos cerâmicos de grande porte ou de tamenho especialmente.
Para os clientes, os necessidades de processamento dos clientes para os substratos Cerâmicos de Diferentes Especificações, Ó Equipamento de Revestimento de Substrato de Cerâmica Semicondutores ADOTA UMOSETROUSUMORESENTOMENTOUNORESENTES SUBSUSOMENTO SUBSUSOMETROMENTO SUBSUSOMENTO SUBSUMO O SUBSUMO O SUPROTUMENTO OPETURA -SUBSULATURA, ESTRUTO SUBSULATURA -SUBSULATURA, ESTRUTUMANTO O SUPROTUMENTO OPELOMETRO, ESTRUTURA -SUBSULO, QUE SUBSUMO, PODO SUBSUSTO Paralelo de Estadaça dupla ou multi-cavidada.
O Sistema de Controle Pode Predefinir Uma Variedade de Parâmetros de Processo e Alternar Rapidamento Os lotes fazem produto. ESSA ESTRUTURA NÃO APENAS MELHORA Uma flexibilidade do Uso do Equipamento, Mas Tambema Reduz Bastante O Tempo de Ajuste da Máquina e OS Custos de Intervenção É Muito Adequado para ambientes de Produção de Ensaios Científicos de Pesquisa Científica e Produção de Produção em Massa e Produção Paralela.
O Sistema de Alimentação de Equipamentos de Revestimento de Substrato Cerâmico Semicondutores ADOTA A LÓGICA DE CONTROLE DE ALIGAÇÃO DE ALTA EFICIÊNCIA, E CONSUMO DE ENERGIA É REDUZIDO EM 15% EM COMPARROÇÃO COMPOMANTAMENTO O OPENISTROMAMENTO O OPENISTROMENTO O OPEPIONICO O OPENISTROMENTO O OSPONOO O OPOMPONICO O OPOMONTOMENTO. Ao Mesmo Tempo, Possui Mecanismo Automático de Otimizaça de Partida e Standby, AJUSTE AUTOMÁTICO DE ENERGIA APÓS A ESTABILIZAÇÃO DO PROCESSO E Reduz O Consumo Excessivo de Energia. Uma configuração opcional de Ligaça ã com vácrias Cavernas Pode Obter uma Produção Contínua Ininterrupt de 24 Horas. Especialmente Adequado para os clientes de produção em Massa de substrato cerâmico que São sensíneis ao consumo de energia de saíta unidade e têm altos requisitos para o eficincia da batida, comos veículososigostosostosos, comos, comos, comos, veíco, energicos, e a eficiados, comos, comos, veíco, energicos, e a eficiados, comos, comos, veíco, energicos, e, comos, comos, comos, vítima, vítima, vítima, vítima, vítima, vítima, vítima, vítima, vítima, comos, comos, comos e vésculosos e a eficiados, comos, comos, veiculose -energosi. Módulos de Energia.